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            全球最先进3nm晶圆厂尘埃落定 4000亿出资

            admin 2019-06-17 211人围观 ,发现0个评论

            跟着三星加速7nm EUV工艺量产,台积电领先了一年的全球最先进3nm晶圆厂尘埃落定 4000亿出资7nm先进工艺本年会迎来剧烈竞赛,IBM、NVIDIA以及高通都要参加三星的7nm EUV阵营了。

            在先进工艺道路图上,台积电的7nm上一年量产,7nm EUV工艺本年量产,海思麒麟985、苹果A13处理器会是第一批用户,下一年则会进入5nm节点,2021年则会进入3nm节点,终究在2022年规划量产3nm工艺。

            台积电从上一年就开端发动3nm晶圆龙珊珊厂的建造作业,由于晶圆厂对全球最先进3nm晶圆厂尘埃落定 4000亿出资水力、电力资源要求很高,初期的环评作业很严厉,今日台湾环保部门发布了台积电3nm晶圆厂的专案初审,经过了新竹科学园区有过宝山用地的请求,这意味着台全球最先进3nm晶圆厂尘埃落定 4000亿出资积电的3nm晶圆厂终究落地在新竹园区。

            依据台积电之前的材料,整个3nm晶圆厂估计会在2020年正式开工建造,耗资超越4000亿新台币,折合879亿人民币或许130亿美元。

            由于摩尔定律逐步到了物理极限,3nm被认为是最终的一代硅基半导体工艺,由于1nm节点会遭受严峻的全球最先进3nm晶圆厂尘埃落定 4000亿出资搅扰。为了处理这个问题,三星宣告在3nm节点运用GAA盘绕栅极晶体管工艺,经过运用纳米片设备制作出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技能能够明显增强晶体管功能,首要替代FinFET晶体管技能。

            与三星比较,台积电并没有发布过3nm工艺的详细技能细节,估计也会改用全新结构的晶体管工艺,只不过现在尚无清晰音讯。

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